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MOS完全导通后，Vds达到最低点。此时虽然不存在过渡损耗，但是MOS管并不是理想的导体，存在一个导通电阻Rds（由MOS管参数决定，基本是是一个固定值）。此时电流较大，达到几安培。消耗的功率=电流的平方乘以导通电阻P=I²ds •MOS管开关一次，要经历三次消耗功率发热的过程： a、开通损耗。可以通过加大激励电流，或者是用输入等效电容较小的器件，加 快导通的过程降低损耗。(减小耦合电阻，加电流放大电路或者选择Cgs较小的器件) b、饱和导通损耗。加大激励电流，尽快进入完全导通状态；选用导通电阻Rds较小 的器件(例如耐压低一点，电流大一点的器件)，也能有效较低损耗。 c、截止损耗。改善激励状态，尽快拉电流，使MOS管快速关断，减小截止过渡时间。

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